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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS42S32200L-7TL
IS42S32200L-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥23.74512

13356

2-3 工作日

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合计: ¥23.74512

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IS43R16320F-6TLI
IS43R16320F-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥8.89099

0

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合计: ¥8.89099

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IS43DR81280C-3DBLI
IS43DR81280C-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥67.15834

0

2-3 工作日

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合计: ¥67.15834

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IS62WV102416EBLL-45BLI
IS62WV102416EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥83.53164

480

2-3 工作日

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合计: ¥83.53164

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IS43DR81280C-25DBLI
IS43DR81280C-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥62.93501

6

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合计: ¥62.93501

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IS29GL256-70DLET
IS29GL256-70DLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (9x9)

¥48.97866

66

2-3 工作日

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合计: ¥48.97866

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IS61WV25616BLL-10BLI
IS61WV25616BLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥19.65796

275

2-3 工作日

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合计: ¥19.65796

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IS61LV25616AL-10TL
IS61LV25616AL-10TL
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.01569

1651

2-3 工作日

- +

合计: ¥23.01569

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IS61WV5128BLL-10BLI
IS61WV5128BLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥30.77508

5083

2-3 工作日

- +

合计: ¥30.77508

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IS42S83200J-7TLI
IS42S83200J-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥37.84633

11581

2-3 工作日

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合计: ¥37.84633

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IS62WV5128BLL-55HLI
IS62WV5128BLL-55HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥23.32359

4575

2-3 工作日

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合计: ¥23.32359

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IS61LV5128AL-10TLI
IS61LV5128AL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥18.43028

1108

2-3 工作日

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合计: ¥18.43028

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IS43LD32320C-25BLI-TR
IS43LD32320C-25BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥59.80927

0

2-3 工作日

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合计: ¥59.80927

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IS62WV1288BLL-55HLI
IS62WV1288BLL-55HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥7.30736

913

2-3 工作日

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合计: ¥7.30736

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IS43TR16128D-107MBL
IS43TR16128D-107MBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥45.42183

0

2-3 工作日

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合计: ¥45.42183

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IS43TR16128D-125KBLI
IS43TR16128D-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥56.37873

3006

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IS43DR16640C-25DBL
IS43DR16640C-25DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥24.91790

21187

2-3 工作日

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合计: ¥24.91790

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IS43TR16128DL-125KBLI
IS43TR16128DL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥28.26542

3177

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合计: ¥28.26542

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IS66WVH8M8BLL-100B1LI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥19.96795

1959

2-3 工作日

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合计: ¥19.96795

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IS61LV25616AL-10TLI
IS61LV25616AL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.59493

1927

2-3 工作日

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合计: ¥16.59493

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