ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥90.63186 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥90.63186 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥35.75530 | 2782 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥35.75530 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥5.47998 | 75 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.47998 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥41.64523 | 79 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥41.64523 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥112.56408 | 155 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥112.56408 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥35.93058 | 410 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥35.93058 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥31.89617 | 346 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.89617 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥34.88086 | 2531 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.88086 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥11.79651 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.79651 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥18.11829 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.11829 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥14.85012 | 1856 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.85012 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥5.29746 | 919 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.29746 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥1.82738 | 142784 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.82738 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥30.44046 | 9037 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30.44046 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥13.26292 | 6895 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.26292 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥44.22376 | 14777 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44.22376 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥38.77776 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥38.77776 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥34.81780 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.81780 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥33.51463 | 43 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33.51463 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥29.22510 | 4041 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.22510 | 立即购买 加入购物车 |