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IS42S16100H-7TL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.47997 5.47997
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 同步动态随机存取内存
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 访达时期 5.5 ns
  • 存储容量 16Mb (1M x 16)
  • 时钟频率 143兆赫
  • 包装/外壳 50-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 50-TSOP II

IS42S16100H-7TL 产品详情

ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100H-7TL is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Feature

• Clock frequency: 166, 143, 100 MHz

• Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

• Two banks can be operated simultaneously and independently

• Dual internal bank controlled by A11 (bank select)

• Single 3.3V power supply

• LVTTL interface

• Programmable burst length

– (1, 2, 4, 8, full page)

• Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

• Auto refresh, self refresh

• 4096 refresh cycles every 128 ms

• Random column address every clock cycle

• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

• Burst read/write and burst read/single write operations capability

• Burst termination by burst stop and precharge command

• Byte controlled by LDQM and UDQM

• Package 400-mil 50-pin TSOP II


IS42S16100H-7TL所属分类:存储器,IS42S16100H-7TL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42S16100H-7TL价格参考¥5.479978,你可以下载 IS42S16100H-7TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42S16100H-7TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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