ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥18.26587 | 3765 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.26587 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥13.15021 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.15021 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥3.40706 | 4648 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.40706 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥24.99147 | 1970 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.99147 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥5.90586 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.90586 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥57.98811 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57.98811 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥15.52588 | 5529 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.52588 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥27.56141 | 367 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27.56141 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥20.09253 | 1880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.09253 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.65139 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.65139 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14) | ¥186.16860 | 3548 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥186.16860 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (10x14) | ¥208.12911 | 2528 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥208.12911 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥12.50776 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.50776 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥8.51186 | 3175 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.51186 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥26.09496 | 6118 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥26.09496 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥18.04134 | 117 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.04134 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥78.83172 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥78.83172 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥34.64931 | 3328 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.64931 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥5.75811 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.75811 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥1.91792 | 33 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.91792 | 立即购买 加入购物车 |