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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS43LQ32128A-062BLI
IS43LQ32128A-062BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5)

¥123.50303

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IS43DR16640C-3DBLI
IS43DR16640C-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥43.83693

775

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IS34MW02G084-TLI
IS34MW02G084-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥38.24388

1267

2-3 工作日

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IS62WV51216BLL-55BLI
IS62WV51216BLL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7)

¥81.55332

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IS42S32800J-7BLI
IS42S32800J-7BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥24.21084

2753

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IS25LP064A-JBLE
IS25LP064A-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.26342

477

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IS62WV1288BLL-55TLI
IS62WV1288BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥13.31100

2383

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合计: ¥13.31100

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IS42S16400J-6TL
IS42S16400J-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥22.06984

42577

2-3 工作日

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IS25LP064A-JKLE
IS25LP064A-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥12.44837

12144

2-3 工作日

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合计: ¥12.44837

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IS62WV5128EBLL-45T2LI
IS62WV5128EBLL-45T2LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥25.24223

549

2-3 工作日

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IS25LP512M-RMLE
IS25LP512M-RMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥21.87016

2062

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IS62C1024AL-35QLI
IS62C1024AL-35QLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥8.82258

3737

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IS43TR16128DL-107MBLI
IS43TR16128DL-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥17.53506

1015

2-3 工作日

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合计: ¥17.53506

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IS43LD16640C-25BLI
IS43LD16640C-25BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥72.24865

3429

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IS62WV2568BLL-55HLI
IS62WV2568BLL-55HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥15.27528

2963

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IS62WV2568BLL-55TLI
IS62WV2568BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥16.30304

8959

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IS25LP064D-JBLA3
IS25LP064D-JBLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥17.24317

6411

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IS29GL256-70SLET
IS29GL256-70SLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP I

¥52.47771

478

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IS43DR16128C-25DBL
IS43DR16128C-25DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥46.96514

1099

2-3 工作日

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IS62WV12816BLL-55TLI
IS62WV12816BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥18.39153

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