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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS25LP128-JBLE
IS25LP128-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥21.60743

5028

2-3 工作日

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IS25LP128-JKLE
IS25LP128-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥9.45271

17493

2-3 工作日

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IS43R16320F-6TL
IS43R16320F-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥55.03798

49

2-3 工作日

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合计: ¥55.03798

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IS43DR16160B-37CBLI
IS43DR16160B-37CBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 266兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥43.39351

0

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IS62WV10248EBLL-45TLI
IS62WV10248EBLL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥45.90695

427

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IS43TR16128CL-125KBLI
IS43TR16128CL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥51.26525

420

2-3 工作日

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合计: ¥51.26525

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IS66WV51216EBLL-55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥25.44358

2034

2-3 工作日

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IS42S86400F-7TLI
IS42S86400F-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥121.58439

83

2-3 工作日

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合计: ¥121.58439

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IS25WP128-JLLE
IS25WP128-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥17.37212

11769

2-3 工作日

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合计: ¥17.37212

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IS43TR16256B-107MBLI
IS43TR16256B-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥118.57134

528

2-3 工作日

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合计: ¥118.57134

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IS43TR81024B-125KBLI
IS43TR81024B-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (10x14)

¥287.43883

96

2-3 工作日

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合计: ¥287.43883

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IS61WV51216EDBLL-10BLI
IS61WV51216EDBLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥97.16640

5777

2-3 工作日

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合计: ¥97.16640

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IS61WV102416DBLL-10TLI
IS61WV102416DBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥83.96404

2917

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合计: ¥83.96404

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IS43DR16640B-25DBLI
IS43DR16640B-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥42.15340

152

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合计: ¥42.15340

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IS42S16320F-7TL
IS42S16320F-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥116.99117

3809

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合计: ¥116.99117

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IS25WP016D-JKLE
IS25WP016D-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥2.43651

2279

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合计: ¥2.43651

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IS42S16320F-7TLI
IS42S16320F-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥51.14357

14395

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合计: ¥51.14357

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IS61WV10248BLL-10TLI
IS61WV10248BLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥102.62175

315

2-3 工作日

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合计: ¥102.62175

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IS43TR16256BL-107MBL
IS43TR16256BL-107MBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥114.17464

1443

2-3 工作日

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合计: ¥114.17464

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IS43TR16256B-125KBLI
IS43TR16256B-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥113.55564

789

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