Feature
- High-speed access time - 10ns
- High-performance, low-power CMOS process
- Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with CE and OE
- CE Power-down
- Fully static operation - no clock or refresh required
IS61WV10248BLL-10TLI
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 102.62175 | 102.62175 |
- 库存: 315
- 单价: ¥102.62175
-
数量:
- +
- 总计: ¥102.62
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 存储格式 SRAM
- 技术 SRAM-异步
- 存储容量 8Mb (1M x 8)
- 单字、单页写入耗时 10ns
- 访达时期 10纳秒
- 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 44-TSOP II
- 电源电压 2.4伏~3.6伏
IS61WV10248BLL-10TLI 产品详情
The IS61WV10248BLL-10TLI is a 1M x 8-bit high-speed low power CMOS Static Random Access Memory (SRAM) fabricated using ISSI's high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. It operates from a single power supply and all inputs are TTL-compatible.
IS61WV10248BLL-10TLI 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IS600HGDV | 特里普 (Tripp Lite) | ISOLATOR SERIES DUAL-VOLTAGE 115 | ¥6,165.37377 |
 | IS61WV25616EDBLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥15.98291 |
 | IS61WV25616BLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.02369 |
 | IS61WV20488BLL-10MLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥180.33083 |
 | IS61WV10248EDBLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥76.14095 |
 | IS61WV25616EDBLL-10BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.52129 |
 | IS66WVE2M16EBLL-70BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.95193 |
 | IS62WVS5128FALL-16NLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.42675 |
 | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.05084 |
 | IS61C256AL-12JLI-TR | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥11.00921 |
IS61WV10248BLL-10TLI所属分类：存储器，IS61WV10248BLL-10TLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS61WV10248BLL-10TLI价格参考￥102.621753，你可以下载 IS61WV10248BLL-10TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS61WV10248BLL-10TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
