ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥14.77262 | 7986 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.77262 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥14.97904 | 1329 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.97904 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥10.63113 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.63113 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥14.08744 | 1380 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.08744 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥41.14692 | 5618 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥41.14692 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥42.73311 | 2042 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥42.73311 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP I | ¥40.28271 | 5690 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥40.28271 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥18.39407 | 2808 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.39407 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥5.92180 | 1774 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.92180 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥19.64492 | 791 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.64492 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥19.91540 | 549 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.91540 | 立即购买 加入购物车 | ||
IS43LR32160 - 512M, 1.8V, MOBILE | ¥97.80305 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15,941.89748 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥6.02827 | 6431 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.02827 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥36.25723 | 890 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.25723 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥22.37549 | 79 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.37549 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥7.03286 | 31 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.03286 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥15.30063 | 1737 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.30063 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥144.92971 | 144 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥144.92971 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥66.84617 | 1019 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥66.84617 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥13.69922 | 3010 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.69922 | 立即购买 加入购物车 |