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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS25LP032D-JNLA3
IS25LP032D-JNLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥14.77262

7986

2-3 工作日

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合计: ¥14.77262

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IS62WV6416BLL-55TLI
IS62WV6416BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.97904

1329

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.97904

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IS61WV1288EEBLL-10TLI
IS61WV1288EEBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥10.63113

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.63113

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IS61WV6416DBLL-10TLI
IS61WV6416DBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.08744

1380

2-3 工作日

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合计: ¥14.08744

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IS43DR86400E-3DBLI
IS43DR86400E-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥41.14692

5618

2-3 工作日

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合计: ¥41.14692

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IS42S32800J-7TL
IS42S32800J-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥42.73311

2042

2-3 工作日

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合计: ¥42.73311

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IS29GL128-70SLET
IS29GL128-70SLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP I

¥40.28271

5690

2-3 工作日

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合计: ¥40.28271

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IS61C1024AL-12JLI
IS61C1024AL-12JLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥18.39407

2808

2-3 工作日

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合计: ¥18.39407

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IS25WP080D-JBLE
IS25WP080D-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.92180

1774

2-3 工作日

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合计: ¥5.92180

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IS34ML01G084-TLI
IS34ML01G084-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.64492

791

2-3 工作日

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合计: ¥19.64492

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IS34ML01G081-TLI
IS34ML01G081-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.91540

549

2-3 工作日

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合计: ¥19.91540

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IS43LR32160B-6BLI
IS43LR32160B-6BLI
IS43LR32160 - 512M, 1.8V, MOBILE

¥97.80305

0

2-3 工作日

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合计: ¥15,941.89748

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IS25WP016D-JNLE
IS25WP016D-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥6.02827

6431

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.02827

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IS34ML02G084-TLI
IS34ML02G084-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥36.25723

890

2-3 工作日

- +

合计: ¥36.25723

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IS62WV51216BLL-55TLI
IS62WV51216BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥22.37549

79

2-3 工作日

- +

合计: ¥22.37549

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IS25WP080D-JKLE
IS25WP080D-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥7.03286

31

2-3 工作日

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合计: ¥7.03286

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IS25WP064A-JLLE
IS25WP064A-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥15.30063

1737

2-3 工作日

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合计: ¥15.30063

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IS61LPS51236B-200TQLI
IS61LPS51236B-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥144.92971

144

2-3 工作日

- +

合计: ¥144.92971

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IS42S32800J-7TLI
IS42S32800J-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥66.84617

1019

2-3 工作日

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合计: ¥66.84617

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IS42S16800F-7TLI
IS42S16800F-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥13.69922

3010

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.69922

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