IS34ML01G084-TLI
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.64491 | 19.64491 |
- 库存: 791
- 单价: ¥19.64492
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.64
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
- 储存接口 并联
- 存储类型 Non-Volatile
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
- 安装类别 表面安装
- 存储格式 FLASH
- 技术 FLASH-NAND（SLC）
- 时钟频率 -
- 单字、单页写入耗时 25纳秒
- 访达时期 25纳秒
- 电源电压 2.7伏~3.6伏
- 包装/外壳 48-TFSOP (0.724", 18.40毫米 Width)
- 供应商设备包装 48-TSOP
- 存储容量 1Gb（128M x 8）
IS34ML01G084-TLI 产品详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) announces that it has begun sampling production units of automotive grade serial (SPI) and parallel SLC NAND Flash. ISSI’s SLC NAND Flash product supports a wide operating temperature range of -40°C to +105°C, making it ideal for the next generation automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications. Both the SPI NAND and parallel NAND Flash devices are AEC-Q100 qualified meeting the stringent automotive qualification requirements. The SPI NAND is currently available in 1 Gb density while the parallel SLC NAND is available in 1 Gb, 2 Gb, and 4 Gb densities. ISSI is working on additional densities of NAND Flash and multi-chip package (MCP) options of serial/parallel NAND/NOR Flash and its DRAM product line.
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IS34ML01G084-TLI所属分类：存储器，IS34ML01G084-TLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS34ML01G084-TLI价格参考￥19.644918，你可以下载 IS34ML01G084-TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS34ML01G084-TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
