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IS61WV6416DBLL-10TLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.08744 14.08744
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 存储容量 1Mb (64K x 16)
  • 电源电压 2.4伏~3.6伏

IS61WV6416DBLL-10TLI 产品详情

Static RAM, ISSI

The ISSI Static RAM products use high performing CMOS technology. There is a broad range of static RAMs which include the 5V high-speed asynchronous SRAM, high-speed low power asynchronous SRAM, 5V low power types asynchronous SRAMs, ultra-low power CMOS Static RAM and PowerSaverTM lower power asynchronous SRAMs. The ISSI SRAM devices come in a variety of voltages, memory size and different organisations. They are suitable in applications such as CPU cache memory, embedded processors, hard drive, and switches to industrial electronics.

Power supply: 1.8V/3.3V/5V
Packages available: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Configuration choice available: x8 and x16
ECC feature available for High Speed Asynchronous SRAMs

IS61WV6416DBLL-10TLI所属分类:存储器,IS61WV6416DBLL-10TLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61WV6416DBLL-10TLI价格参考¥14.087441,你可以下载 IS61WV6416DBLL-10TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61WV6416DBLL-10TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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