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IS25LP010E-JNLE-TR
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IS25LP010E-JNLE-TR

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.51497 3.51497
10+ 3.45703 34.57036
50+ 3.39909 169.95465
100+ 3.34042 334.04250
  • 库存: 680
  • 单价: ¥3.51498
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.51
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 FLASH
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 技术 FLASH-NOR
  • 时钟频率 104兆赫
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TA)
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 储存接口 SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • 电源电压 2.3伏~3.6伏
  • 单字、单页写入耗时 1.2毫秒
  • 访达时期 8 ns

IS25LP010E-JNLE-TR 产品详情

IS25LP010E-JNLE-TR所属分类:存储器,IS25LP010E-JNLE-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS25LP010E-JNLE-TR价格参考¥3.514979,你可以下载 IS25LP010E-JNLE-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS25LP010E-JNLE-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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