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IS43R86400F-5TL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.01990 34.01990
  • 库存: 83
  • 单价: ¥34.01990
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.02
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 存储容量 512Mb (64M x 8)
  • 时钟频率 200兆赫
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 技术 SDRAM-DDR
  • 访达时期 700 ps
  • 电源电压 2.3伏~2.7伏
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 包装/外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 66-TSOP II

IS43R86400F-5TL 产品详情

IS43R86400F-5TL所属分类:存储器,IS43R86400F-5TL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43R86400F-5TL价格参考¥34.019901,你可以下载 IS43R86400F-5TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43R86400F-5TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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