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11AA02E48T-I/TT

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: SOT-23-3
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥7.97667
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 访达时期 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 存储容量 2Kb (256 x 8)
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 电源电压 1.8伏~5.5伏
  • 时钟频率 100千赫
  • 存储接口 单线
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3

11AA02E48T-I/TT 产品详情

The 11AA02E48T-I/TT is a 2kB 1.8V serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) organized in blocks of x8-bit memory and support the patented single I/O UNI/O® serial bus. By using Manchester encoding techniques, the clock and data are combined into a single, serial bit stream (SCIO), where the clock signal is extracted by the receiver to correctly decode the timing and value of each bit. Low-voltage design permits operation down to 1.8V, with standby and active currents of only 1µA and 1mA, respectively.

Feature

  • Pre-programmed globally unique, 48-bit node address
  • Compatible with EUI-48™ and EUI-64™
  • Low-power CMOS technology
  • Schmitt trigger inputs for noise suppression
  • Output slope control to eliminate ground bounce
  • Self-timed write cycle
  • Page-write buffer for up to 16 bytes
  • STATUS Register for added control
  • Write enable latch bit
  • Write-in-progress bit
  • Block write protection - Protect none 1/4, 1/2 or all of array
  • Built-in write protection
  • Power-on/off data protection circuitry
  • Write enable latch
  • High reliability
  • Endurance - 1000000 erase/write cycles
  • Data retention - >200 years
  • ESD protection - >4000V
11AA02E48T-I/TT所属分类:存储器,11AA02E48T-I/TT 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。11AA02E48T-I/TT价格参考¥7.976671,你可以下载 11AA02E48T-I/TT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询11AA02E48T-I/TT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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