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TH58NYG3S0HBAI6

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 67-VFBGA (6.5x8)
  • 品牌: 柯夏 (Kioxia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FLASH
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 时钟频率 -
  • 单字、单页写入耗时 25纳秒
  • 访达时期 25纳秒
  • 技术 FLASH-NAND(SLC)
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 存储容量 8Gb (1G x 8)
  • 制造厂商 柯夏 (Kioxia)
  • 包装/外壳 67-VFBGA
  • 供应商设备包装 67-VFBGA (6.5x8)

TH58NYG3S0HBAI6 产品详情

TH58NYG3S0HBAI6所属分类:存储器,TH58NYG3S0HBAI6 由 柯夏 (Kioxia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TH58NYG3S0HBAI6价格参考¥69.314553,你可以下载 TH58NYG3S0HBAI6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TH58NYG3S0HBAI6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

柯夏 (Kioxia)

柯夏 (Kioxia)

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