久芯网

AT25SF041B-MAHB-T

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)
  • 品牌: 阿德斯托 (Adesto)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 279997
  • 单价: ¥4.27476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.27
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FLASH
  • 技术 FLASH-NOR
  • 存储接口 SPI-四路I/O
  • 访达时期 -
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-UFDFN Exposed Pad
  • 制造厂商 阿德斯托 (Adesto)
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 时钟频率 108兆赫
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 供应商设备包装 8-UDFN (2x3)
  • 单字、单页写入耗时 50s, 2.4ms

AT25SF041B-MAHB-T 产品详情

The Adesto® AT25SF041 is a serial interface Flash memory device designed for use in a wide variety of high-volume consumer based applications in which program code is shadowed from Flash memory into embedded or external RAM for execution. The flexible erase architecture of the AT25SF041 is ideal for data storage as well, eliminating the need for additional data storage devices. The erase block sizes of the AT25SF041 have been optimized to meet the needs of today's code and data storage applications. By optimizing the size of the erase blocks, the memory space can be used much more efficiently.

Feature

  • Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible
  • 104MHz Maximum Operating Frequency
  • Flexible, Optimized Erase Architecture for Code + Data Storage Applications
  • Full Chip Erase
  • 3 Protected Programmable Security Register Pages
  • JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read Methodology
  • Endurance: 100,000 Program/Erase Cycles
  • Data Retention: 20 Years
  • Complies with Full Industrial Temperature Range
AT25SF041B-MAHB-T所属分类:存储器,AT25SF041B-MAHB-T 由 阿德斯托 (Adesto) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AT25SF041B-MAHB-T价格参考¥4.274760,你可以下载 AT25SF041B-MAHB-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AT25SF041B-MAHB-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

阿德斯托 (Adesto)

阿德斯托 (Adesto)

Adesto 成立于2007年,专门开发创新,低功耗的内存解决方案,名为导电桥式内存 (CBRAM)。这项特别技术有别于一般的内存,能针对多种应用做客制化,在过去3年,Adesto已将内建式内存技术授权...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部