EM6OE08NW9A-07H
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)
- 品牌: 钰创 (Etron)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
- 库存: 2500
- 单价: ¥54.32175
-
数量:
- +
- 总计: ¥135,804.38
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 存储格式 DRAM
- 安装类别 表面安装
- 单字、单页写入耗时 15纳秒
- 制造厂商 钰创 (Etron)
- 工作温度 0摄氏度~95摄氏度（TC）
- 存储容量 4Gb (512M x 8)
- 访达时期 18纳秒
- 技术 SDRAM-DDR4
- 电源电压 1.14伏～1.26伏
- 包装/外壳 78-TFBGA
- 存储接口 POD
- 时钟频率 1.333千兆赫
- 供应商设备包装 78-FBGA (7.5x10.6)
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EM6OE08NW9A-07H所属分类：存储器，EM6OE08NW9A-07H 由 钰创 (Etron) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EM6OE08NW9A-07H价格参考￥54.321750，你可以下载 EM6OE08NW9A-07H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EM6OE08NW9A-07H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
钰创 (Etron)
Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商，成立于1991年，专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案，这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化，尤其是...
