品牌介绍
Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商，成立于1991年，专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案，这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化，尤其是在移动和可穿戴市场。Etron的产品因包装、AOQ、参数化规格和独特功能而与众不同。Etron是经过全面测试的裸芯片DRAM“已知良好芯片”的领先供应商，最近推出了世界上第一款晶圆级芯片级封装的DRAM。Etron的产品线涵盖伪静态和单数据速率，最新的DDR产品，是您的首选供应商。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥24.91558 | 3113 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.91558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥76.12288 | 7868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.12288 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13） | ¥65.33096 | 2571 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.33096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥81.33777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.33777 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 50-WLCSP (1.96x4.63) | ¥15.71709 | 319 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.71709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥23.36618 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,049.26250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND | ¥190.41584 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥190.41584 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 256M BIT RPC DRAM (FBGA 96 BALLS | ¥18.17968 | 688 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.17968 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6) | ¥76.12288 | 2789 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.12288 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8) | ¥14.97832 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,445.79250 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥15.22733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,227.32800 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥15.22733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,227.32800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥16.05679 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40,141.96250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥16.17658 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40,441.45750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥16.32369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,485.52900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x13) | ¥17.37485 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43,437.12000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥18.69298 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,039.47450 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥25.85715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.85715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥21.69495 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54,237.37000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.5) | ¥21.69495 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54,237.37000 | 添加到BOM 立即询价 |