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EM6GD08EWAHH-10H

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.5)
  • 品牌: 钰创 (Etron)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 21.69494 54237.37000
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  • 数量:
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 存储容量 2Gb (256M x 8)
  • 访达时期 20纳秒
  • 工作温度 0摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 技术 SDRAM-DDR3
  • 电源电压 1.425伏~ 1.575伏
  • 时钟频率 933兆赫
  • 包装/外壳 78-VFBGA
  • 制造厂商 钰创 (Etron)
  • 供应商设备包装 78-FBGA (7.5x10.5)

EM6GD08EWAHH-10H 产品详情

EM6GD08EWAHH-10H所属分类:存储器,EM6GD08EWAHH-10H 由 钰创 (Etron) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EM6GD08EWAHH-10H价格参考¥21.694948,你可以下载 EM6GD08EWAHH-10H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EM6GD08EWAHH-10H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

钰创 (Etron)

钰创 (Etron)

Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商,成立于1991年,专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案,这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化,尤其是...

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