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EM6OE08NW9A-07IH

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)
  • 品牌: 钰创 (Etron)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

  • 库存: 0
  • 单价: ¥59.75393
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥149,384.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 制造厂商 钰创 (Etron)
  • 工作温度 -40摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 存储容量 4Gb (512M x 8)
  • 访达时期 18纳秒
  • 技术 SDRAM-DDR4
  • 电源电压 1.14伏~1.26伏
  • 包装/外壳 78-TFBGA
  • 存储接口 POD
  • 时钟频率 1.333千兆赫
  • 供应商设备包装 78-FBGA (7.5x10.6)
EM6OE08NW9A-07IH所属分类:存储器,EM6OE08NW9A-07IH 由 钰创 (Etron) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EM6OE08NW9A-07IH价格参考¥59.753925,你可以下载 EM6OE08NW9A-07IH中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EM6OE08NW9A-07IH规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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钰创 (Etron)

Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商,成立于1991年,专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案,这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化,尤其是...

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