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W66BQ6NBUAGJ TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.866千兆赫 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5)
  • 品牌: 华邦电子 (Winbond)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

  • 库存: 0
  • 单价: ¥39.43759
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥98,593.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 安装类别 表面安装
  • 存储容量 2Gb (128M x 16)
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TC)
  • 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
  • 访达时期 3.5纳秒
  • 时钟频率 1.866千兆赫
  • 包装/外壳 200-WFBGA
  • 供应商设备包装 200-WFBGA (10x14.5)
  • 电源电压 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏
  • 技术 SDRAM-移动LPDDR4X
  • 存储接口 等级_11
  • 单字、单页写入耗时 18ns

W66BQ6NBUAGJ TR 产品详情

W66BQ6NBUAGJ TR所属分类:存储器,W66BQ6NBUAGJ TR 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W66BQ6NBUAGJ TR价格参考¥39.437591,你可以下载 W66BQ6NBUAGJ TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W66BQ6NBUAGJ TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华邦电子 (Winbond)

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Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...

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