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NAND01GW3B2BZA6E

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)
  • 品牌: 镁光 (Micron)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥41.03827
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.04
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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FLASH
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 镁光 (Micron)
  • 存储容量 1Gb(128M x 8)
  • 技术 FLASH-NAND
  • 存储接口 并联
  • 时钟频率 -
  • 供应商设备包装 63-VFBGA (9x11)
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 63-TFBGA
  • 访达时期 30纳秒
  • 单字、单页写入耗时 30纳秒

NAND01GW3B2BZA6E 产品详情

NAND01GW3B2BZA6E所属分类:存储器,NAND01GW3B2BZA6E 由 镁光 (Micron) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NAND01GW3B2BZA6E价格参考¥41.038271,你可以下载 NAND01GW3B2BZA6E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NAND01GW3B2BZA6E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

镁光 (Micron)

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