美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13) | ¥29.67706 | 1251 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.67706 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥83.07606 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.07606 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥29.40617 | 1250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.40617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥73.06203 | 29971 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥73.06203 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14) | ¥21.03992 | 4843 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21.03992 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥55.29021 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55.29021 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥114.43782 | 1067 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114.43782 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) | ¥296.01732 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥296.01732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13) | ¥185.20800 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥185.20800 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14) | ¥163.03307 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥163.03307 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥131.09649 | 281 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.09649 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥57.94320 | 2808 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 512KX36, 3.1NS PQFP1 | ¥132.90722 | 423 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,259.42266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥90.97082 | 9628 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥132.90722 | 177 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,259.42266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SRAM SYNC QUAD 4M-BIT 128KX36 | ¥20.13526 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.74356 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DDR SRAM, 512KX36, 0.5NS PBGA165 | ¥202.87363 | 2006 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.60992 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5NS PQFP100 | ¥135.22494 | 1143 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,298.82403 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥202.87363 | 262 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.60992 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 512KX36, 6.8NS PQFP1 | ¥135.22494 | 607 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,298.82403 | 添加到BOM 立即询价 |