品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | QDR SRAM, 512KX18, 2.5NS PBGA165 | ¥100.24174 | 241 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.31819 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 64KX32, 10NS PQFP100 | ¥32.08605 | 2056 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.85120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SRAM SYNC QUAD 2M-BIT 64KX36 | ¥32.08605 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.85120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SRAM SYNC QUAD 8M-BIT 256KX36 | ¥66.92440 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥32.08605 | 906 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.08605 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥32.23091 | 1281 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.70154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 | ¥101.18331 | 71936 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.03289 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | QDR SRAM, 2MX8, 0.5NS PBGA165 | ¥239.45027 | 698 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,394.50274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 100-VBGA（12x18） | ¥246.04131 | 874 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥246.04131 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥246.04131 | 174 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥246.04131 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥251.90806 | 4594 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,267.17256 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 256KX18, 9NS PQFP100 | ¥32.44819 | 89085 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 | ¥107.41221 | 5584 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,255.65635 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 64KX32, 9NS PQFP100 | ¥41.64668 | 582 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,207.27378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 64KX36, 5NS PQFP100 | ¥41.93639 | 81 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.69233 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥68.51783 | 5463 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 64KX32, 5NS PQFP100 | ¥12.96479 | 204979 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥166.07970 | 121 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,325.11576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DDR SRAM, 1MX18, 0.5NS PBGA165 | ¥166.58670 | 1824 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,332.21380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥70.76313 | 8384 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 |