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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT58L128L36F1T-10
MT58L128L36F1T-10
CACHE SRAM 128KX36 10NS PQFP100

¥62.79594

32928

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合计: ¥2,197.85801

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MT58L256L18D1T-6
MT58L256L18D1T-6
CACHE SRAM, 256KX18, 3.5NS PQFP1

¥49.03443

17906

5-7 工作日

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合计: ¥2,206.54949

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MT58L128V36F1T-10
MT58L128V36F1T-10
CACHE SRAM 128KX36 10NS PQFP100

¥62.79594

9941

5-7 工作日

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合计: ¥2,197.85801

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MT58L256L32PS-6
MT58L256L32PS-6
CACHE SRAM, 256KX32, 3.5NS PQFP1

¥49.39658

21075

5-7 工作日

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合计: ¥2,173.44943

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MT57W1MH18CF-6
MT57W1MH18CF-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥220.54631

1353

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MT57W1MH18CF-4
MT57W1MH18CF-4
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS PBGA165

¥220.54631

587

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合计: ¥2,205.46305

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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥128.61462

241

2-3 工作日

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MT58L256L32PS-7.5
MT58L256L32PS-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥64.67910

9466

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合计: ¥2,199.08930

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MT55L256L32FT-12
MT55L256L32FT-12
ZBT SRAM, 256KX32, 9NS PQFP100

¥64.67910

7870

5-7 工作日

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合计: ¥2,199.08930

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MT58L512V18PT-6
MT58L512V18PT-6
CACHE SRAM, 512KX18, 3.5NS PQFP1

¥64.67910

2868

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.08930

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MT58L256L36PT-6
MT58L256L36PT-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥64.67910

2152

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MT58L256L32PT-6
MT58L256L32PT-6
CACHE SRAM, 256KX32, 3.5NS PQFP1

¥64.67910

844

5-7 工作日

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合计: ¥2,199.08930

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MT55L256V32PT-7.5
MT55L256V32PT-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥64.67910

345

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合计: ¥2,199.08930

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MT58L256V32PF-6
MT58L256V32PF-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥64.67910

178

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- +

合计: ¥2,199.08930

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MT40A4G4SA-062E:F
MT40A4G4SA-062E:F
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11)

¥225.47148

1571

5-7 工作日

- +

合计: ¥225.47148

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MT54W2MH8JF-6
MT54W2MH8JF-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥229.31021

3768

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,293.10214

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MT58L256L36FS-10
MT58L256L36FS-10
CACHE SRAM 256KX36 10NS PQFP100

¥99.73473

15688

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.16413

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MT58L256L36FS-10TR
MT58L256L36FS-10TR
SRAM SYNC QUAD 8M-BIT 256KX36

¥99.73473

1500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.16413

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MT55L256L18F1T-12TR
MT55L256L18F1T-12TR
SRAM 3.3V 4M-BIT 256KX18 9NS

¥32.08605

51220

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.85120

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MT58L64L36PT-10
MT58L64L36PT-10
CACHE SRAM, 64KX36, 5NS PQFP100

¥32.08605

17898

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