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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥13.05967

1427

2-3 工作日

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合计: ¥13.05967

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MT54W1MH18BF-5TR
MT54W1MH18BF-5TR
SRAM 1.8V 18M-BIT 1MX18 0.45NS

¥314.84886

2931

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.94204

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MT58L128L32F1T-7.5
MT58L128L32F1T-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 113兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥19.41097

85047

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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MT55L128V36P1T-10
MT55L128V36P1T-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥19.41097

6659

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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MT55L256L18F1F-10
MT55L256L18F1F-10
ZBT SRAM, 256KX18, 7.5NS PBGA165

¥32.44819

264

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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MT58L128L18DT-10
MT58L128L18DT-10
CACHE SRAM, 128KX18, 5NS PQFP100

¥32.81034

28735

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.29258

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MT25QL01GBBB8E12-0AAT
MT25QL01GBBB8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥185.56310

2256

5-7 工作日

- +

合计: ¥185.56310

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MT35XU01GBBA2G12-0AUT
MT35XU01GBBA2G12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥252.27021

1122

5-7 工作日

- +

合计: ¥252.27021

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MTFC32GASAONS-IT
MTFC32GASAONS-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥202.94606

1428

5-7 工作日

- +

合计: ¥202.94606

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M29F800FB5AN6F2
M29F800FB5AN6F2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥18.10725

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,160.87500

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MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥10.50293

3699

2-3 工作日

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合计: ¥10.50293

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MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥41.09766

883

2-3 工作日

- +

合计: ¥41.09766

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MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥60.91279

2543

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.91279

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MT58L256L18P1T-7.5C
MT58L256L18P1T-7.5C
4MB 256KX18 128KX32/36 SRAM

¥34.91078

3018

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.37901

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MT55L128L32P1T-6
MT55L128L32P1T-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥34.91078

2776

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.37901

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MT58L64L32DT-10
MT58L64L32DT-10
CACHE SRAM, 64KX32, 5NS PQFP100

¥35.20049

21666

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.43063

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MT58L128L32P1T-6
MT58L128L32P1T-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥35.20049

16376

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.43063

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RC28F256P30TFF
RC28F256P30TFF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥61.27493

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,838.24802

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MT58L512L18PS-6
MT58L512L18PS-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥96.54786

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,351.67000

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MT58L128V32P1T-7.5
MT58L128V32P1T-7.5
CACHE SRAM, 128KX32, 4NS PQFP100

¥35.56264

30241

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.88362

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