品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥551.03137 | 1517 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥551.03137 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: Die | ¥24.91558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.91558 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die | ¥24.91558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.91558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 512KX18 10NS PBGA165 | ¥120.08728 | 2901 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,281.65836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥99.66230 | 999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥99.66230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM, 256KX32, 8.5NS | ¥71.77714 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,363.76564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (1G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥21.22894 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,818.87068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥10.59419 | 4915 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.59419 | 立即购买 加入购物车 | |
 | SRAM 3.3V 8M-BIT 256KX32 9NS | ¥125.73674 | 1842 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | CACHE SRAM 256KX36 10NS PQFP100 | ¥125.73674 | 447 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥84.74193 | 1082 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.74193 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 512KX36, 5NS PBGA165 | ¥125.73674 | 669 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥125.73674 | 620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ZBT SRAM, 512KX32, 3.2NS PQFP100 | ¥125.73674 | 325 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~3.465伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥125.73674 | 284 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~3.465伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥125.73674 | 282 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 113兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥125.73674 | 206 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~3.465伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20.1） | ¥125.73674 | 158 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,263.26139 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥21.10690 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,594.69022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | ¥12.05581 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23,147.14944 | 立即购买 加入购物车 |