品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥25.62111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,746.88205 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥65.88373 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥71,154.42732 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥37.82350 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥47,657.61378 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥68.01083 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85,693.64706 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (1G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,883.73239 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (1G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 16-SO | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,070.03088 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,436.27702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,436.27702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,713.35392 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.74308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,436.27702 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥51.90616 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥52,944.28626 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥190.34341 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥239,832.69912 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13） | ¥183.10051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥183.10051 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2 | ¥183.24537 | 1340 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥183.24537 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥41.21210 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.21210 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥41.21210 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.21210 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥41.21210 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.21210 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥41.21210 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.21210 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEM FLASH NAND 128GB | ¥73.00843 | 1495 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110,972.81664 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH RAM 4G PARALLEL | ¥88.10988 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126,878.22576 | 添加到BOM 立即询价 |