品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP | ¥81.04805 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥102,120.54426 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) | ¥86.26294 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84,537.68022 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（10x13） | ¥88.24783 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥120,017.05424 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) | ¥86.26294 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131,119.66728 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEM DDR MULTICHIP | ¥155.14292 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥210,994.36848 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x8) (MLP8) | ¥112.33738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥215,687.76768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥86.69751 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109,238.86638 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Wafer | ¥187.73597 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥187.73597 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (10x11) | ¥65.54743 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥74,724.06678 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V | ¥68.44541 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.44540 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC MEM DDR MULTICHIP | ¥92.12969 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥125,296.37568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥207.18316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232,045.13360 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die | ¥104.51505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.51505 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 64-TBGA (10x8) | ¥59.75393 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107,557.06500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.62103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,282.50284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.62103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,282.50284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥25.62103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,282.50284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥25.62111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,746.88205 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥25.62111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,596.26272 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8) | ¥45.80649 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71,458.12440 | 添加到BOM 立即询价 |