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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT25QL02GCBB8E12-0AUT
MT25QL02GCBB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥412.77287

615

5-7 工作日

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合计: ¥412.77287

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PC28F640J3F75A
PC28F640J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥17.03240

0

2-3 工作日

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合计: ¥14,715.99706

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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥100.49524

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥112,554.66656

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MT25QU02GCBB8E12-0AUT
MT25QU02GCBB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥412.77287

1020

5-7 工作日

- +

合计: ¥412.77287

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MT35XU02GCBA1G12-0AAT
MT35XU02GCBA1G12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥430.95255

1427

5-7 工作日

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合计: ¥430.95255

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N25Q064A13ESF40E
N25Q064A13ESF40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥21.72870

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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MT53E1DBDS-DC
MT53E1DBDS-DC
LPDDR4 0 WFBGA

¥162.96525

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥221,632.74000

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MT53E4D1ABA-DC
MT53E4D1ABA-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥221,632.74000

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MT53E2D1ACY-DC
MT53E2D1ACY-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥221,632.74000

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MT61K512M32KPA-14C:B
MT61K512M32KPA-14C:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.31V ~ 1.391V 时钟频率: 7 GHz 供应商设备包装: 180-FBGA (12x14)

¥212.18076

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥267,347.75256

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MT53E4D1BHJ-DC
MT53E4D1BHJ-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥221,632.74000

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MT44K16M36RB-107E:B
MT44K16M36RB-107E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥331.14219

0

2-3 工作日

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合计: ¥394,059.21086

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MT44K32M18RB-107E:B
MT44K32M18RB-107E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥333.42690

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥396,778.01338

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MT28HL08GNBB3EBK-0GCT
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT
NOR FLASH 256MX32 PLASTIC 3.3V

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥64,534.23900

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MT44K16M36RB-093E:B
MT44K16M36RB-093E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥416.75647

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥495,940.19454

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N25Q128A13ESF40G
N25Q128A13ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥22.74271

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5-7 工作日

- +

合计: ¥1,819.41648

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M28W320FCT70N6E
M28W320FCT70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥17.90810

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,110.30214

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MT53E4D1BDE-DC
MT53E4D1BDE-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

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5-7 工作日

- +

合计: ¥221,632.74000

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MTFC64GAZAQHD-IT
MTFC64GAZAQHD-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

¥284.76400

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2-3 工作日

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合计: ¥432,841.28000

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MT53E2DBDS-DC
MT53E2DBDS-DC
LPDDR4 4G DDP

¥162.96525

0

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合计: ¥221,632.74000

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