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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥439.78889

0

5-7 工作日

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合计: ¥492,563.55456

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MT29F2T08EMHBFJ4-T:B
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥440.00618

0

5-7 工作日

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合计: ¥492,806.91600

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MT29F2T08EMHBFJ4-R:B
MT29F2T08EMHBFJ4-R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥440.00618

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥492,806.91600

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MTFC128GAPALNS-IT
MTFC128GAPALNS-IT
MODULE EMMC 128GB

¥601.77635

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合计: ¥914,700.04744

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MT29F2T08EMLCEJ4-R:C
MT29F2T08EMLCEJ4-R:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥442.61362

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5-7 工作日

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合计: ¥495,727.25328

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MT49H32M18CSJ-18:B
MT49H32M18CSJ-18:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥445.43835

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5-7 工作日

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合计: ¥498,890.95200

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MTFC32GAKAEDQ-AAT
MTFC32GAKAEDQ-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥289.10035

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥283,318.34692

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MTFC32GAKAEEF-AAT
MTFC32GAKAEEF-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 供应商设备包装: 169-TFBGA (14x18)

¥289.10035

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥283,318.34692

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MT28FW02GBBA1LPC-0AAT
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥289.31764

0

5-7 工作日

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合计: ¥319,406.67566

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MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J
IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

¥102.66811

0

5-7 工作日

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合计: ¥129,361.81608

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MT29F4G08ABBFAM70A3WC1
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥39.69109

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.69109

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MT44K16M36RB-093F:B
MT44K16M36RB-093F:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥450.11002

0

5-7 工作日

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合计: ¥535,630.92499

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MT29F4G01ABAFDM70A3WC1
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥39.69109

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.69109

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MT29F4G01ABBFDM70A3WC1
MT29F4G01ABBFDM70A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥39.69109

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.69109

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MT29F1T08EEHBFJ4-T:B
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥219.89444

0

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合计: ¥246,281.77728

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MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥219.89444

0

5-7 工作日

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合计: ¥246,281.77728

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MT29F1T08EELCEJ4-R:C
MT29F1T08EELCEJ4-R:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥221.41545

0

5-7 工作日

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合计: ¥247,985.30736

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MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G
MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥39.78873

0

5-7 工作日

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合计: ¥50,133.79476

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MT29F2G16ABBGAH4-AATES:G
MT29F2G16ABBGAH4-AATES:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥39.78873

0

5-7 工作日

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合计: ¥50,133.79476

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MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥39.78880

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合计: ¥38,197.24704

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