美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥28.67124 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36,125.75862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 供应商设备包装: Wafer | ¥106.90520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.90520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 供应商设备包装: Wafer | ¥106.90520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.90520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP | ¥73.76894 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥92,948.86062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18) | ¥66.48982 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130,320.05112 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IC MEM NAND 64GB FLASH 153BGA | ¥152.97005 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232,514.47296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥141.12791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158,063.25584 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LPDDR3 8G DIE 256MX32 | ¥132.97964 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.97964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥133.08829 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76,658.85389 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥11.87329 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.87329 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13) | ¥94.95442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥144,330.71688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) | ¥94.95442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥144,330.71688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) | ¥94.95442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥93,055.33062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13) | ¥134.82658 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148,848.54874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥35.49021 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.49021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13) | ¥165.78998 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥252,000.77112 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2 | ¥94.62707 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥136,262.97936 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11) | ¥189.88711 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥239,257.75734 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13) | ¥112.56670 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥128,326.03344 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.31V ~ 1.391V 时钟频率: 7 GHz 供应商设备包装: 180-FBGA (12x14) | ¥212.18076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥267,347.75256 | 添加到BOM 立即询价 |