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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥28.67124

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5-7 工作日

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合计: ¥36,125.75862

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MT40A512M16Z11BWC1
MT40A512M16Z11BWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 供应商设备包装: Wafer

¥106.90520

0

5-7 工作日

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合计: ¥106.90520

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MT40A1G8Z11BWC1
MT40A1G8Z11BWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 供应商设备包装: Wafer

¥106.90520

0

5-7 工作日

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合计: ¥106.90520

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MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K
IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

¥73.76894

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5-7 工作日

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合计: ¥92,948.86062

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MT29F128G08CBECBH6-12M:C
MT29F128G08CBECBH6-12M:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥66.48982

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5-7 工作日

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合计: ¥130,320.05112

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MTFC64GAOAMEA-WT
MTFC64GAOAMEA-WT
IC MEM NAND 64GB FLASH 153BGA

¥152.97005

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合计: ¥232,514.47296

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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥141.12791

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5-7 工作日

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合计: ¥158,063.25584

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MT52L256M32D1V01MWC2
MT52L256M32D1V01MWC2
LPDDR3 8G DIE 256MX32

¥132.97964

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5-7 工作日

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合计: ¥132.97964

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MT28EW01GABA1HJS-0AAT
MT28EW01GABA1HJS-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥133.08829

0

5-7 工作日

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合计: ¥76,658.85389

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MT29F1G08ABAEAH4:E
MT29F1G08ABAEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥11.87329

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2-3 工作日

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合计: ¥11.87329

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MTFC8GAMALBH-AAT
MTFC8GAMALBH-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥94.95442

0

5-7 工作日

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合计: ¥144,330.71688

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MTFC8GAMALGT-AAT
MTFC8GAMALGT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8)

¥94.95442

0

5-7 工作日

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合计: ¥144,330.71688

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MTFC8GAMALHT-AAT
MTFC8GAMALHT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8)

¥94.95442

0

5-7 工作日

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合计: ¥93,055.33062

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MT28FW01GABA1LPC-0AAT
MT28FW01GABA1LPC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥134.82658

0

5-7 工作日

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合计: ¥148,848.54874

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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥35.49021

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.49021

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MTFC32GASAQHD-AAT
MTFC32GASAQHD-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

¥165.78998

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5-7 工作日

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合计: ¥252,000.77112

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MT25TL512HBA8ESF-0AAT
MT25TL512HBA8ESF-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥94.62707

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2-3 工作日

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合计: ¥136,262.97936

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MT40A2G8JC-062E:E
MT40A2G8JC-062E:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11)

¥189.88711

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2-3 工作日

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合计: ¥239,257.75734

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MT40A1G16KD-062E:E
MT40A1G16KD-062E:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥112.56670

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合计: ¥128,326.03344

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MT61K512M32KPA-14:B
MT61K512M32KPA-14:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.31V ~ 1.391V 时钟频率: 7 GHz 供应商设备包装: 180-FBGA (12x14)

¥212.18076

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5-7 工作日

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合计: ¥267,347.75256

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