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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M25PX16-VMP6TG
M25PX16-VMP6TG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VFQFPN (6x5)

¥4.85274

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5-7 工作日

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合计: ¥1,814.92588

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MTFC16GAKAEJP-AIT
MTFC16GAKAEJP-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

¥155.90342

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5-7 工作日

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合计: ¥236,973.20296

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MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥168.61471

0

5-7 工作日

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合计: ¥188,848.47744

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M25P32-VMW6G
M25P32-VMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥15.86195

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5-7 工作日

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合计: ¥1,443.43754

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M25PE80-VMN6P
M25PE80-VMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥15.93438

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5-7 工作日

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合计: ¥1,816.51932

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M29W320ET70N6E
M29W320ET70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥32.78948

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2-3 工作日

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合计: ¥3,738.00038

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MT29F128G08CBCEBL05B3WC1
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥120.23214

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5-7 工作日

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合计: ¥120.23214

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MT40A4G4VA-062E:B
MT40A4G4VA-062E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (10x11)

¥168.75021

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2-3 工作日

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合计: ¥192,375.23370

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PC28F320J3F75A
PC28F320J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥17.54027

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2-3 工作日

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合计: ¥1,806.64771

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JS28F256M29EWLB
JS28F256M29EWLB
IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP

¥22.23570

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5-7 工作日

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合计: ¥1,823.32765

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M25P16-VMP6G
M25P16-VMP6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥18.10725

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5-7 工作日

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合计: ¥905.36250

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MT41J64M16TW-093:J
MT41J64M16TW-093:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥29.69661

0

5-7 工作日

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合计: ¥40,624.96795

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MTFC128GAOAMEA-WT
MTFC128GAOAMEA-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8)

¥271.17418

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥412,184.74752

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M29W128GL70ZA6F
M29W128GL70ZA6F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥17.18595

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,615.47958

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N25Q032A13EF640E
N25Q032A13EF640E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFN (6x5)

¥19.33854

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5-7 工作日

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合计: ¥1,817.82304

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N25Q128A13EF840F
N25Q128A13EF840F
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN

¥24.19129

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5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.34645

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MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥44.90830

0

5-7 工作日

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合计: ¥56,584.45548

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MT53E2DCDS-DC
MT53E2DCDS-DC
LPDDR4 0 FBGA QDP

¥162.96525

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合计: ¥221,632.74000

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MT53E4DADT-DC
MT53E4DADT-DC
LPDDR4 0 VFBGA QDP

¥162.96525

0

5-7 工作日

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合计: ¥221,632.74000

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MT53E2D1BFW-DC
MT53E2D1BFW-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥162.96525

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合计: ¥221,632.74000

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