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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥564.62027

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5-7 工作日

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合计: ¥632,374.70240

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MT41K2G4RKB-107:P
MT41K2G4RKB-107:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥95.89310

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2-3 工作日

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合计: ¥138,086.06256

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MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109
MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109
IC FLASH RAM 4G PARALLEL

¥96.91000

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5-7 工作日

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合计: ¥139,550.40288

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MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

¥1,813.47730

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5-7 工作日

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合计: ¥2,031,094.57824

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MT41K512M8V00HWC1
MT41K512M8V00HWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V

¥83.07606

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5-7 工作日

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合计: ¥83.07606

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MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥75.39859

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5-7 工作日

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合计: ¥84,446.41968

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MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥30.04456

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5-7 工作日

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合计: ¥37,856.14938

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MT25TL512BBA8E12-0AAT
MT25TL512BBA8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥97.01865

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5-7 工作日

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合计: ¥108,854.92081

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N25Q128A13EF840E
N25Q128A13EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥24.19129

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5-7 工作日

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合计: ¥1,814.34645

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MT49H16M36SJ-25E:B
MT49H16M36SJ-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥344.19493

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2-3 工作日

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合计: ¥385,498.31936

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MT49H32M18SJ-25E:B
MT49H32M18SJ-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥344.19493

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥385,498.31936

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MT28HL32GQBB3ERK-0GCT
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT
NOR FLASH 1GX32 PLASTIC PBF FBGA

¥532.35315

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5-7 工作日

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合计: ¥511,059.02400

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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥419.79848

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥470,174.30208

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MT53ED1ADS-DC
MT53ED1ADS-DC
LPDDR4 4G

¥162.96525

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5-7 工作日

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合计: ¥221,632.74000

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MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥216.20057

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥242,144.63280

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MTFC128GASAQJP-AIT
MTFC128GASAQJP-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

¥424.79609

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥645,690.04920

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MT40A1G16KNR-062E:E
MT40A1G16KNR-062E:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥203.92385

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5-7 工作日

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合计: ¥220,237.75800

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MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥71.48742

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5-7 工作日

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合计: ¥90,074.15298

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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥434.57400

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合计: ¥486,722.88000

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MT29E2T08CUHBBM4-3:B
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

¥1,899.84889

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合计: ¥2,127,830.75120

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