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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT58L64L32FT-8.5
MT58L64L32FT-8.5
CACHE SRAM 64KX32 8.5NS PQFP100

¥35.56264

15557

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合计: ¥2,204.88362

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MT58L128L18PT-10
MT58L128L18PT-10
CACHE SRAM, 128KX18, 5NS PQFP100

¥35.56264

520

5-7 工作日

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合计: ¥2,204.88362

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MT29F4G08ABADAWP-AITX:D
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥56.06005

256

5-7 工作日

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合计: ¥56.06005

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MT58L128L36F1T-8.5
MT58L128L36F1T-8.5
CACHE SRAM, 128KX36, 8.5NS PQFP1

¥35.92478

13755

5-7 工作日

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合计: ¥2,191.41182

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MT35XU512ABA1G12-0SIT
MT35XU512ABA1G12-0SIT
SERIAL NOR 512M MT35X PBGA

¥96.83757

1144

5-7 工作日

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合计: ¥96.83757

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MT58L256L18F1T-8.5ITTR
MT58L256L18F1T-8.5ITTR
CACHE SRAM, 256KX18, 8.5NS

¥36.14207

15000

5-7 工作日

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合计: ¥2,204.66633

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MTFC64GASAONS-IT
MTFC64GASAONS-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥252.77324

1189

2-3 工作日

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合计: ¥252.77324

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MT55L256V32PT-6
MT55L256V32PT-6
ZBT SRAM, 256KX32, 3.5NS PQFP100

¥108.57107

135

5-7 工作日

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合计: ¥2,279.99249

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MT35XU256ABA1G12-0AUT
MT35XU256ABA1G12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥84.30736

1140

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合计: ¥84.30736

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MT35XU256ABA2G12-0AUT
MT35XU256ABA2G12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥84.30736

871

5-7 工作日

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合计: ¥84.30736

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MT58L512L18PT-10
MT58L512L18PT-10
CACHE SRAM, 512KX18, 5NS PQFP100

¥64.67910

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,293.58194

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MT58L256L32FT-7.5
MT58L256L32FT-7.5
CACHE SRAM, 256KX32, 7.5NS PQFP1

¥113.27896

37598

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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MT58L256L36PT-7.5
MT58L256L36PT-7.5
CACHE SRAM, 256KX36, 4NS PQFP100

¥113.27896

29729

5-7 工作日

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合计: ¥2,265.57912

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MT29F1G16ABBFAH4-IT:F
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥14.01574

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,659.82736

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MT58L256L36FT-10
MT58L256L36FT-10
CACHE SRAM 256KX36 10NS PQFP100

¥113.27896

15450

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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MT58L256L36FT-7.5
MT58L256L36FT-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 113兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥113.27896

11997

5-7 工作日

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合计: ¥2,265.57912

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MT58L512L18FF-8.5
MT58L512L18FF-8.5
CACHE SRAM, 512KX18, 8.5NS PBGA1

¥113.27896

4073

5-7 工作日

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合计: ¥2,265.57912

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MT58L256V32PS-7.5
MT58L256V32PS-7.5
CACHE SRAM, 256KX32, 4NS PQFP100

¥113.27896

2097

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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MT55L512L18FT-12
MT55L512L18FT-12
ZBT SRAM, 512KX18, 9NS PQFP100

¥113.27896

1461

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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MT58L256L32FS-10
MT58L256L32FS-10
CACHE SRAM 256KX32 10NS PQFP100

¥113.56867

3763

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