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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT58L64L32PT-6
MT58L64L32PT-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥25.49501

75029

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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MT58L256L36PS-7.5
MT58L256L36PS-7.5
CACHE SRAM, 256KX36, 4NS PQFP100

¥75.47102

69005

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.65952

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MT55L128L32P1T-10
MT55L128L32P1T-10
ZBT SRAM, 128KX32, 5NS PQFP100

¥42.95040

24391

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.47025

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MT58L256L18P1T-7.5
MT58L256L18P1T-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥42.95040

7202

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.47025

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MT58L256L36PF-7.5
MT58L256L36PF-7.5
CACHE SRAM, 256KX36, 4NS PBGA165

¥75.47102

1335

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.65952

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MT58L1MY18FT-6.8
MT58L1MY18FT-6.8
CACHE SRAM, 1MX18, 6.8NS, CMOS,

¥225.25419

11

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,477.79609

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JS28F640J3F75A
JS28F640J3F75A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16, 8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥15.89165

0

2-3 工作日

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合计: ¥15.89165

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MT58L512L18FS-8.5
MT58L512L18FS-8.5
CACHE SRAM, 512KX18, 8.5NS PQFP1

¥43.02283

17071

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.16413

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MT58L256V36PS-6
MT58L256V36PS-6
CACHE SRAM, 256KX36, 3.5NS PQFP1

¥43.31254

266206

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,208.93964

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MT58L256L18F1T-10
MT58L256L18F1T-10
CACHE SRAM 256KX18 10NS PQFP100

¥43.31254

37616

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,208.93964

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MT58L256V36PS-6TR
MT58L256V36PS-6TR
SRAM SYNC QUAD 8M-BIT 256KX36

¥43.31254

32100

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,208.93964

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MT58L64L32PT-10TR
MT58L64L32PT-10TR
SRAM SYNC QUAD 2M-BIT 64KX32

¥25.85715

84364

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.85800

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MT29F4G08ABADAWP-IT:D
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥16.43921

1453

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.43921

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MT58L256L32PT-10
MT58L256L32PT-10
CACHE SRAM, 256KX32, 5NS PQFP100

¥64.67910

85

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.08930

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MT35XU256ABA2G12-0AAT
MT35XU256ABA2G12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥76.70231

1122

5-7 工作日

- +

合计: ¥76.70231

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PC28F640P33BF60A
PC28F640P33BF60A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥145.56636

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥145.56636

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MT58L32L32PT-6
MT58L32L32PT-6
CACHE SRAM 32KX32 3.5NS PQFP100

¥79.45461

38500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,224.72916

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MT54V512H18E1F-5
MT54V512H18E1F-5
QDR SRAM, 512KX18, CMOS,

¥174.33660

2062

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,266.37584

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MT58L512L18FT-8.5
MT58L512L18FT-8.5
CACHE SRAM, 512KX18, 8.5NS PQFP1

¥80.39619

5479

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,251.09332

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MT58L64V36PT-5
MT58L64V36PT-5
CACHE SRAM, 64KX36, 3.5NS, CMOS,

¥31.28933

944

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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