美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CACHE SRAM, 256KX32, 7.5NS PQFP1 | ¥92.99884 | 426 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.97206 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 256KX36, 4.2NS PQFP100 | ¥59.68150 | 1367 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.21535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13) | ¥105.52537 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥105.52537 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥39.54623 | 12707 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥39.90838 | 4281 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.96084 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥22.74271 | 69065 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18) | ¥419.00177 | 418 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥419.00177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥61.78194 | 24124 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.14973 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥61.78194 | 8497 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.14973 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 512KX18, 4NS PQFP100 | ¥61.78194 | 6325 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,224.14973 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18) | ¥1,476.89974 | 983 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,476.89974 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18) | ¥2,272.38745 | 247 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,272.38745 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 256KX18, 5NS | ¥39.90838 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.96084 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1) | ¥30.85475 | 7414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.68753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 64KX32, 10NS | ¥39.90838 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.96084 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CACHE SRAM, 64KX36, 4NS PQFP100 | ¥30.85475 | 3090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.68753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 64KX36, 5NS PQFP100 | ¥39.90838 | 281 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.96084 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2NS PQFP100 | ¥30.99961 | 392 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.97245 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥219.82202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥219.82202 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥40.27052 | 1117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 |