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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT58L256L32FS-7.5
MT58L256L32FS-7.5
CACHE SRAM, 256KX32, 7.5NS PQFP1

¥92.99884

426

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MT55L256V36PT-7.5
MT55L256V36PT-7.5
ZBT SRAM, 256KX36, 4.2NS PQFP100

¥59.68150

1367

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合计: ¥2,208.21535

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PC28F640P30TF65A
PC28F640P30TF65A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥105.52537

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MT58L64L18FT-8.5
MT58L64L18FT-8.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥39.54623

12707

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合计: ¥2,175.04287

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MT58L64L36DT-7.5
MT58L64L36DT-7.5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥39.90838

4281

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MT55L256V18P1T-10
MT55L256V18P1T-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥22.74271

69065

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MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥419.00177

418

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MT58L256L36DS-6
MT58L256L36DS-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥61.78194

24124

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合计: ¥2,224.14973

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MT58L256L36DS-10
MT58L256L36DS-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥61.78194

8497

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MT58L512L18DT-7.5
MT58L512L18DT-7.5
CACHE SRAM, 512KX18, 4NS PQFP100

¥61.78194

6325

5-7 工作日

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合计: ¥2,224.14973

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MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥1,476.89974

983

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MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥2,272.38745

247

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MT55L256V18P1T
MT55L256V18P1T
ZBT SRAM, 256KX18, 5NS

¥39.90838

4000

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合计: ¥2,194.96084

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MT58L64L36PT-6
MT58L64L36PT-6
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥30.85475

7414

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合计: ¥2,190.68753

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MT58L64L32FT-10TR
MT58L64L32FT-10TR
CACHE SRAM, 64KX32, 10NS

¥39.90838

2000

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合计: ¥2,194.96084

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MT58L64L36PT-7.5
MT58L64L36PT-7.5
CACHE SRAM, 64KX36, 4NS PQFP100

¥30.85475

3090

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.68753

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MT55L64L36P1T-10
MT55L64L36P1T-10
ZBT SRAM, 64KX36, 5NS PQFP100

¥39.90838

281

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.96084

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MT55L256L18P1T-7.5
MT55L256L18P1T-7.5
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2NS PQFP100

¥30.99961

392

5-7 工作日

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合计: ¥2,200.97245

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MT35XU01GBBA1G12-0AAT
MT35XU01GBBA1G12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥219.82202

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MT58L128L32F1F-10
MT58L128L32F1F-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥40.27052

1117

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合计: ¥2,174.60830

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