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RM25C64C-LSNI-B

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: CBRAM 存储容量: 64kb (32B Page Size) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 阿德斯托 (Adesto)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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    - +
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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 阿德斯托 (Adesto)
  • 电源电压 1.65伏~3.6伏
  • 时钟频率 10兆赫
  • 部件状态 过时的
  • 存储格式 CBRAM
  • 技术 CBRAM
  • 存储容量 64kb (32B Page Size)
  • 单字、单页写入耗时 100s、 5ms

RM25C64C-LSNI-B 产品详情

RM25C64C-LSNI-B所属分类:存储器,RM25C64C-LSNI-B 由 阿德斯托 (Adesto) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RM25C64C-LSNI-B价格参考¥0.815551,你可以下载 RM25C64C-LSNI-B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RM25C64C-LSNI-B规格参数、现货库存、封装信息等信息!

阿德斯托 (Adesto)

阿德斯托 (Adesto)

Adesto 成立于2007年,专门开发创新,低功耗的内存解决方案,名为导电桥式内存 (CBRAM)。这项特别技术有别于一般的内存,能针对多种应用做客制化,在过去3年,Adesto已将内建式内存技术授权...

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