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L6571BD

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~16.6伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 2000
  • 单价: ¥18.58070
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.58
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规格参数

  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 半桥
  • 驱动器数量 two
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 通道类型 同步的
  • 安装类别 表面安装
  • 逻辑电压-VIL、VIH -
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 RC输入电路
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 上升/下降时长(典型值) -
  • 电源电压 10伏~16.6伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 170毫安, 270毫安

L6571BD 产品详情

The device is a high voltage half bridge driver with built in oscillator. The frequency of the oscillator can be programmed using external resistor and capacitor. The internal circuitry of the device allows it to be driven also by external logic signal.

The output drivers are designed to drive external n-channel power MOSFET and IGBT. The internal logic assures a dead time to avoid cross-conduction of the power devices. Two version are available: L6571A and L6571B. They differ in the internal dead time: 1.25μs and 0.72μs (typ.)

Feature

  • ESDPROTECTION
  • dV/dtIMMUNITYUPTO±50V/ns
  • PROGRAMMABLEOSCILLATORFREQUENCY
  • UNDERVOLTAGELOCKOUTWITHHYSTERESIS
  • HIGHVOLTAGERAILUPTO600V
  • 15.6VZENERCLAMPONVS
  • BCDOFFLINETECHNOLOGY
  • VERYLOWSTARTUPCURRENT:150μA
  • DEADTIME1.25μs(L6571A)or0.72μs(L6571B)
  • DRIVERCURRENTCAPABILITY:SINKCURRENT=270mASOURCECURRENT=170mA\t


L6571BD所属分类:栅极驱动器,L6571BD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L6571BD价格参考¥18.580704,你可以下载 L6571BD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L6571BD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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