Capable of driving the gates of N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration. The half-bridge circuit consists of upper and lower MOSFETs connected in a cascode arrangement. The two MOSFET switches are turned on and off complementary to each other.
DGD2106S8-13
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 高侧最大电压 (自举) 600 V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 电源电压 10伏~20伏
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 290毫安, 600毫安
- 上升/下降时长（典型值） 100ns、35ns
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.6伏、2.5伏
- 供应商设备包装 8-SO
DGD2106S8-13 产品详情
Half-Bridge Gate Drivers, Diodes Inc
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
| DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
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| DGD2388MS20-13 | HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | ¥0.00 |
DGD2106S8-13所属分类：栅极驱动器，DGD2106S8-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DGD2106S8-13价格参考￥16.383440，你可以下载 DGD2106S8-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DGD2106S8-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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