IS25LP016D-JBLA3-TR
- 描述:暂无
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.78779 | 2.78779 |
| 10+ | 2.74143 | 27.41438 |
| 50+ | 2.69508 | 134.75415 |
| 100+ | 2.64945 | 264.94530 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.78779
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.79
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规格参数
- 接口类型 SPI
- 存储容量 16Mbit
- 工作电压 2.3V~3.6V
- 工作温度 -40℃~+125℃
IS25LP016D-JBLA3-TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IS2 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 种类: 转换 输出类别: 否/NC 电源电压: 220VAC 包装/外壳: 法兰安装 工作温度: -25摄氏度~75摄氏度 | ¥549.58618 |
 | IS250HG | 特里普 (Tripp Lite) | TRANSF ISO 250W 2OUT HOSP GRADE | ¥2,175.40502 |
| IS270C25RKE | 欧米特 (Ohmite) | IS270C25RKE | ¥123.99845 |
 | IS25LP032D-JNLE-TR | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥2.98335 |
 | IS29GL064-70TLET | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥26.71502 |
 | IS25LP040E-JBLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.89113 |
 | IS25LP032D-JBLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.42448 |
 | IS25LP032D-JNLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥10.28875 |
 | IS25WP128-RHLE | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥23.27144 |
 | IS25LP128F-RMLA3 | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥19.78929 |
IS25LP016D-JBLA3-TR所属分类：存储器，IS25LP016D-JBLA3-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS25LP016D-JBLA3-TR价格参考￥2.787792，你可以下载 IS25LP016D-JBLA3-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS25LP016D-JBLA3-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
