RS256M16V0DB-107AT
- 描述:存储器构架(格式)：SDRAM DDR3 存储容量：4Gbit
- 品牌: 晶存 (Rayson)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 28.71181 | 28.71181 |
| 10+ | 25.45388 | 254.53883 |
| 30+ | 24.93892 | 748.16760 |
| 100+ | 23.12078 | 2312.07850 |
- 库存: 1451
- 单价: ¥28.71181
-
数量:
- +
- 总计: ¥28.71
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规格参数
- 存储器构架(格式) SDRAM DDR3
- 时钟频率(fc) -
- 存储容量 4Gbit
- 工作电压 1.5V
- 工作电流 85mA
- 刷新电流 22mA
- 工作温度 0℃~+95℃
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 | RS2012P-680-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 68 Ohms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥1.0001 |
 | RS2012P-101-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 100欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥1.0001 |
 | RS2012P-331-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 330欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥4.20088 |
 | RS2012P-471-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 470欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥4.20088 |
RS256M16V0DB-107AT所属分类：存储器，RS256M16V0DB-107AT 由 晶存 (Rayson) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RS256M16V0DB-107AT价格参考￥28.711812，你可以下载 RS256M16V0DB-107AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RS256M16V0DB-107AT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
晶存 (Rayson)
"深圳市晶存科技有限公司成立于2016年，是一家集设计、研发、封装、测试和销售于一体的存储芯片高科技企业，总部位于深圳，在香港拥有全资子公司，在上海、台湾、新加坡和美国等地设有分公司或办事处 公司拥有自...