RS256M32LD3D1LMZ-125BT
- 描述:暂无
- 品牌: 晶存 (Rayson)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 50.34025 | 50.34025 |
| 10+ | 44.42343 | 444.23436 |
| 30+ | 43.48809 | 1304.64285 |
- 库存: 9
- 单价: ¥50.34026
-
数量:
- +
- 总计: ¥50.34
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RS200PH | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 200A FRONT/BACK STUD CONNECTED | ¥5,554.86973 |
 | RS2J-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 600 V 整流平均值 (Io): 1.5A 反向恢复时长 (trr): 250纳秒 供应商设备包装: SMB 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥32.91174 |
 | RS2JA-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 600 V 整流平均值 (Io): 1.5A 反向恢复时长 (trr): 250纳秒 供应商设备包装: SMA 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥2.6509 |
 | RS2012P-470-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 47欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥1.0001 |
 | RS2012P-680-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 68 Ohms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥1.0001 |
 | RS2012P-101-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 100欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥1.0001 |
 | RS2012P-331-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 330欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥4.20088 |
 | RS2012P-471-D-T5-3 | 日本进工 (Susumu) | 电阻: 470欧姆 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.125W，1/8 w 组成成分: 薄膜 温度系数: ±25ppm/°C 包装/外壳: 0805（2012公制） | ¥4.20088 |
RS256M32LD3D1LMZ-125BT所属分类：存储器，RS256M32LD3D1LMZ-125BT 由 晶存 (Rayson) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RS256M32LD3D1LMZ-125BT价格参考￥50.340255，你可以下载 RS256M32LD3D1LMZ-125BT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RS256M32LD3D1LMZ-125BT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
晶存 (Rayson)
"深圳市晶存科技有限公司成立于2016年，是一家集设计、研发、封装、测试和销售于一体的存储芯片高科技企业，总部位于深圳，在香港拥有全资子公司，在上海、台湾、新加坡和美国等地设有分公司或办事处 公司拥有自...