MT40A1G16KNR-075:E
- 描述:暂无
- 品牌: 镁光 (Micron)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 561.39368 | 561.39368 |
| 30+ | 541.50981 | 16245.29436 |
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-
数量:
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | MT4LSDT864HY-133G2 | 镁光 (Micron) | 存储类型: SDRAM 存储容量: 64MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 144-SODIMM | ¥1,050.73122 |
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 | MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥54.74371 |
| MT40A1G8SA-075:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥37.31687 |
 | MT46V16M8TG-6T:D TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥36.14207 |
| MT40A512M16LY-062E:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥94.23013 |
 | MT48LC16M16A2P-6A XIT:G TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥36.11046 |
 | MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥38.12828 |
MT40A1G16KNR-075:E所属分类：存储器，MT40A1G16KNR-075:E 由 镁光 (Micron) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MT40A1G16KNR-075:E价格参考￥561.393688，你可以下载 MT40A1G16KNR-075:E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MT40A1G16KNR-075:E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
镁光 (Micron)
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