IS66WVH16M8BLL-100B1LI
- 描述:暂无
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 51.18101 | 51.18101 |
| 200+ | 19.81030 | 3962.06180 |
| 480+ | 19.11668 | 9176.00928 |
| 960+ | 18.76987 | 18019.07904 |
- 库存: 0
- 单价: ¥51.18101
-
数量:
- +
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 | IS61WV25616BLL-10TLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥11.02369 |
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 | IS61WV25616EDBLL-10BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.52129 |
 | IS66WVE2M16EBLL-70BLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.95193 |
 | IS62WVS5128FALL-16NLI | 美国芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥48.42675 |
 | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥45.05084 |
 | IS61C256AL-12JLI-TR | 芯成 (ISSI) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥11.00921 |
IS66WVH16M8BLL-100B1LI所属分类：存储器，IS66WVH16M8BLL-100B1LI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS66WVH16M8BLL-100B1LI价格参考￥51.181011，你可以下载 IS66WVH16M8BLL-100B1LI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS66WVH16M8BLL-100B1LI规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
