AP5N10S
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):115mΩ@10V,3A
- 品牌: 铨力 (ALLPOWER)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
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数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 5A
- 功率(Pd) 5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 115mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 4.5nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 210pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 14pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
AP5N10S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AP5N10S 由 铨力 (ALLPOWER) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AP5N10S价格参考¥0.358524,你可以下载 AP5N10S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AP5N10S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。...