2N80L-TN3-R
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3Ω@10V,1.2A
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 800V
- 连续漏极电流(Id) 2.4A
- 功率(Pd) 24W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| 2N80L-TN3-R | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3Ω@10V,1.2A | ¥2.0903 |
2N80L-TN3-R所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N80L-TN3-R 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N80L-TN3-R价格参考￥2.090301，你可以下载 2N80L-TN3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N80L-TN3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！