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WPM3012-3/TR
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WPM3012-3/TR

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.9A 功率(Pd):800mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,3.1A
  • 品牌: 韦尔 (WILLSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.72983 0.72983
10+ 0.59950 5.99509
30+ 0.50503 15.15099
100+ 0.42709 42.70990
500+ 0.41380 206.90450
  • 库存: 3715
  • 单价: ¥0.72983
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.73
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 连续漏极电流(Id) 2.9A
  • 功率(Pd) 800mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 58mΩ@10V,3.1A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.9V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 1.55nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 654pF@20V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 56pF@20V
  • 工作温度 +150℃@(Tj)
WPM3012-3/TR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WPM3012-3/TR 由 韦尔 (WILLSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WPM3012-3/TR价格参考¥0.729831,你可以下载 WPM3012-3/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WPM3012-3/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

韦尔 (WILLSEMI)

韦尔 (WILLSEMI)

上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司,公司成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、台湾、香港等地设立办事处。

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