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UF640L-TN3-R
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UF640L-TN3-R

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A
  • 品牌:
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.02004 2.02004
  • 库存: 66
  • 单价: ¥2.02005
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.02
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 200V
  • 连续漏极电流(Id) 18A
  • 功率(Pd) 83W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
UF640L-TN3-R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UF640L-TN3-R 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。UF640L-TN3-R价格参考¥2.020045,你可以下载 UF640L-TN3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UF640L-TN3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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