UF640L-TN3-R
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 2.02004 | 2.02004 |
- 库存: 66
- 单价: ¥2.02005
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.02
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 200V
- 连续漏极电流(Id) 18A
- 功率(Pd) 83W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
UF640L-TN3-R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UF640L-TN3-R 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。UF640L-TN3-R价格参考¥2.020045,你可以下载 UF640L-TN3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UF640L-TN3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息!