NCE01P30K
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,15A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.51015 | 3.51015 |
| 10+ | 2.86907 | 28.69079 |
| 30+ | 2.59583 | 77.87502 |
| 100+ | 2.25953 | 225.95310 |
| 500+ | 2.11239 | 1056.19950 |
| 1000+ | 2.01781 | 2017.81400 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥3.51016
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.51
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 30A
- 功率(Pd) 120W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 58mΩ@10V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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NCE01P30K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE01P30K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE01P30K价格参考￥3.510156，你可以下载 NCE01P30K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE01P30K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
