AP30H80K
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,20A
- 品牌: 铨力 (ALLPOWER)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 75A
- 功率(Pd) 75W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.8mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 11.1nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 1.16nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 180pF@25V
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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AP30H80K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AP30H80K 由 铨力 (ALLPOWER) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AP30H80K价格参考￥0.665623，你可以下载 AP30H80K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AP30H80K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
铨力 (ALLPOWER)
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。...
